Archive: 2021 - Moldavian Journal of the Physical Sciences

06 Jul 2021

2021
V. 20
1
(p.66 - 72)

Fabrication Of p-NiO/n-ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis

CZU: 535.33:543.4

DOI: https://doi.org/10.53081/mjps.2021.20-1.05

Authors:

Ghimpu Lidia; Suman Victor; Rusnac Dumitru; Potlog Tamara

Summary:

In this paper, a p–n thin film NiO/ZnO heterojunction for a rectifier diode and a UV photodetector is prepared and characterized. Nickel oxide (NiO) and gallium-doped zinc oxide (ZnO:Ga) thin films are grown by RF magnetron sputtering and spray pyrolysis techniques, respectively. The crystal structure of the thin films is studied by the X-ray diffraction (XRD) method. The transmittance and reflectance are studied by UV–VIS spectroscopy. The p–n electrical parameters are estimated from current–voltage characteristics. The effects of duration of thermal annealing at 450oC on the characteristics of the NiO/ZnO:Ga device are evaluated. The non-annealed diode shows the best rectification coefficient of 105 at ±1 V. The p–n photodetection capability is studied under UV illumination. At a reverse bias of –3 V under 365-nm UV illumination, the device shows a current intensity of ~6.2 × 10^-12 A. The observed increase in the reverse current intensity by about two orders of magnitude under a UV lamp with a spectral irradiance of 10 W m^-2 μ m^-1 indicates a promising application in UV light detection.

În această lucrare, a fost descrisă fabricarea și caracterizarea diodei redresoare și senzorului UV pe baza heterojoncțiunii cu straturi subțiri p-NiO/n-ZnO. Straturile subțiri de oxid de nichel (NiO) și oxid de zinc (ZnO:Ga) au fost obținute prin metoda pulverizării în regim de radiofrecvenţă (RF) și, respectiv, metoda pulverizării pirolitice. Structura cristalină a straturilor subțiri a fost investigată prin metoda difracției cu raze X (XRD). Transmitanța și reflectanța au fost studiate prin spectroscopie UV-VIS. Parametrii electrici ai heterojoncțiunii p-n au fost estimați din caracteristicile curent-tensiune. Au fost evaluate efectele duratei tratării termice la 450oC asupra caracteristicilor structurii NiO/ZnO:Ga. Dioda redresoare netratată a arătat cel mai bun coeficient de redresare de 105 la aplicarea tensiunii ±1 V. Capacitatea de detecție a senzorului pe baza heterojoncțiunii p-n a fost studiată la iluminarea UV. Curentul de întuneric al joncțiunii la polarizare inversă de -3V este ~ 6,2 × 10-12 A. O creștere a curentului invers cu aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm^-2aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm^-2aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm^-2 μ m-1 prezintă o aplicație promițătoare în detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare în detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare în detectarea luminii UV.

Download PDF

Export Metadata

Google Scholar

<meta name="citation_title" content="<p>Fabrication Of <em>p-</em>NiO/<em>n-</em>ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis</p>">
<meta name="citation_author" content="Ghimpu Lidia">
<meta name="citation_author" content="Suman Victor">
<meta name="citation_author" content="Rusnac Dumitru">
<meta name="citation_author" content="Potlog Tamara">
<meta name="citation_publication_date" content="2021/07/06">
<meta name="citation_journal_title" content="Moldavian Journal of the Physical Sciences">
<meta name="citation_volume" content="20">
<meta name="citation_issue" content="1">
<meta name="citation_firstpage" content="66">
<meta name="citation_lastpage" content="72">
<meta name="citation_pdf_url" content="https://ibn.idsi.md/sites/default/files/imag_file/66-72_16.pdf">

Crossref

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<doi_batch version='4.3.7' xmlns='http://www.crossref.org/schema/4.3.7' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.crossref.org/schema/4.3.7 http://www.crossref.org/schema/deposit/crossref4.3.7.xsd'>
<head>
<doi_batch_id>ibn-134657</doi_batch_id>
<timestamp>1637492433</timestamp>
<depositor>
<depositor_name>Information Society Development Instiute, Republic of Moldova</depositor_name>
<email_address>mjps@nanotech.md</email_address>
</depositor>
<registrant>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"</registrant>
</head>
<body>
<journal>
<journal_metadata>
<full_title>Moldavian Journal of the Physical Sciences</full_title>
<issn media_type='print'>1810648X</issn>
</journal_metadata>
<journal_issue>
<publication_date media_type='print'>
<year>2021</year>
</publication_date>
<issue>1(20)</issue>
</journal_issue>
<journal_article publication_type='full_text'><titles>
<title><p>Fabrication Of <em>p-</em>NiO/<em>n-</em>ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis</p></title>
</titles>
<contributors>
<person_name sequence='first' contributor_role='author'>
<given_name>Lidia</given_name>
<surname>Ghimpu</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Victor</given_name>
<surname>Suman</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Dumitru</given_name>
<surname>Rusnac</surname>
</person_name>
<person_name sequence='additional' contributor_role='author'>
<given_name>Tamara</given_name>
<surname>Potlog</surname>
</person_name>
</contributors>
<publication_date media_type='print'>
<year>2021</year>
</publication_date>
<pages>
<first_page>66</first_page>
<last_page>72</last_page>
</pages>
<doi_data>
<doi>10.53081/mjps.2021.20-1.05</doi>
<resource>http://www.crossref.org/</resource>
</doi_data>
</journal_article>
</journal>
</body>
</doi_batch>

CERIF

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<CERIF xmlns='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1' xsi:schemaLocation='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1 http://www.eurocris.org/Uploads/Web%20pages/CERIF-1.5/CERIF_1.5_1.xsd' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' release='1.5' date='2012-10-07' sourceDatabase='Output Profile'>
<cfResPubl>
<cfResPublId>ibn-ResPubl-134657</cfResPublId>
<cfResPublDate>2021-07-06</cfResPublDate>
<cfVol>20</cfVol>
<cfIssue>1</cfIssue>
<cfStartPage>66</cfStartPage>
<cfISSN>1810-648X</cfISSN>
<cfURI>http://mjps.utm.md/archive/2021/article/134657</cfURI>
<cfTitle cfLangCode='EN' cfTrans='o'><p>Fabrication Of <em>p-</em>NiO/<em>n-</em>ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis</p></cfTitle>
<cfKeyw cfLangCode='EN' cfTrans='o'>RF magnetron sputtering; spray pyrolysis; UV–VIS spectroscopy; Electrical properties; pulverizare cu magnetron RF; piroliză prin pulverizare; spectroscopie UV–VIS; proprietăți electrice</cfKeyw>
<cfAbstr cfLangCode='EN' cfTrans='o'><p>In this paper, a p&ndash;n thin film NiO/ZnO heterojunction for a rectifier diode and a UV photodetector is prepared and characterized. Nickel oxide (NiO) and gallium-doped zinc oxide (ZnO:Ga) thin films are grown by RF magnetron sputtering and spray pyrolysis techniques, respectively. The crystal structure of the thin films is studied by the X-ray diffraction (XRD) method. The transmittance and reflectance are studied by UV&ndash;VIS spectroscopy. The p&ndash;n electrical parameters are estimated from current&ndash;voltage characteristics. The effects of duration of thermal annealing at 450oC on the characteristics of the NiO/ZnO:Ga device are evaluated. The non-annealed diode shows the best rectification coefficient of 105 at &plusmn;1 V. The p&ndash;n photodetection capability is studied under UV illumination. At a reverse bias of &ndash;3 V under 365-nm UV illumination, the device shows a current intensity of ~6.2 &times; 10<sup>-12</sup> A. The observed increase in the reverse current intensity by about two orders of magnitude under a UV lamp with a spectral irradiance of 10 W m<sup>-2</sup> <strong> &mu;</strong> m<sup>-1</sup> indicates a promising application in UV light detection.</p></cfAbstr>
<cfAbstr cfLangCode='RO' cfTrans='o'><p>&Icirc;n această lucrare, a fost descrisă fabricarea și caracterizarea diodei redresoare și senzorului UV pe baza heterojoncțiunii cu straturi subțiri p-NiO/n-ZnO. Straturile subțiri de oxid de nichel (NiO) și oxid de zinc (ZnO:Ga) au fost obținute prin metoda pulverizării &icirc;n regim de radiofrecvenţă (RF) și, respectiv, metoda pulverizării pirolitice. Structura cristalină a straturilor subțiri a fost investigată prin metoda difracției cu raze X (XRD). Transmitanța și reflectanța au fost studiate prin spectroscopie UV-VIS. Parametrii electrici ai heterojoncțiunii p-n au fost estimați din caracteristicile curent-tensiune. Au fost evaluate efectele duratei tratării termice la 450oC asupra caracteristicilor structurii NiO/ZnO:Ga. Dioda redresoare netratată a arătat cel mai bun coeficient de redresare de 105 la aplicarea tensiunii &plusmn;1 V. Capacitatea de detecție a senzorului pe baza heterojoncțiunii p-n a fost studiată la iluminarea UV. Curentul de &icirc;ntuneric al joncțiunii la polarizare inversă de -3V este ~ 6,2 &times; 10-12 A. O creștere a curentului invers cu aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2 </sup> <strong> &mu;</strong> m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.</p></cfAbstr>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>eda2d9e9-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>759af938-34ae-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>e601872f-4b7e-4d88-929f-7df027b226c9</cfClassId>
<cfClassSchemeId>40e90e2f-446d-460a-98e5-5dce57550c48</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-18229</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-25739</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-53587</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-123</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
<cfFedId>
<cfFedIdId>ibn-doi-134657</cfFedIdId>
<cfFedId>10.53081/mjps.2021.20-1.05</cfFedId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
<cfFedId_Class>
<cfClassId>31d222b4-11e0-434b-b5ae-088119c51189</cfClassId>
<cfClassSchemeId>bccb3266-689d-4740-a039-c96594b4d916</cfClassSchemeId>
</cfFedId_Class>
<cfFedId_Srv>
<cfSrvId>5123451</cfSrvId>
<cfClassId>eda2b2e2-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>5a270628-f593-4ff4-a44a-95660c76e182</cfClassSchemeId>
</cfFedId_Srv>
</cfFedId>
</cfResPubl>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-18229</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-18229-3</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Ghimpu</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Lidia</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-25739</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-25739-3</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Suman</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Victor</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-53587</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-53587-3</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Rusnac</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Dumitru</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-123</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-123-3</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2021-07-06T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Potlog</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Tamara</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
<cfSrv>
<cfSrvId>5123451</cfSrvId>
<cfName cfLangCode='en' cfTrans='o'>CrossRef DOI prefix service</cfName>
<cfDescr cfLangCode='en' cfTrans='o'>The service of issuing DOI prefixes to publishers</cfDescr>
<cfKeyw cfLangCode='en' cfTrans='o'>persistent identifier; Digital Object Identifier</cfKeyw>
</cfSrv>
</CERIF>

DataCite

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<identifier identifierType='DOI'>10.53081/mjps.2021.20-1.05</identifier>
<creators>
<creator>
<creatorName>Ghimpu, L.Z.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu", Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Suman, V.</creatorName>
<affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu", Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Rusnac, D.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
<creator>
<creatorName>Potlog, T.P.</creatorName>
<affiliation>Universitatea de Stat din Moldova, Moldova, Republica</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='en'><p>Fabrication Of <em>p-</em>NiO/<em>n-</em>ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis</p></title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2021</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>1810-648X</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>RF magnetron sputtering</subject>
<subject>spray pyrolysis</subject>
<subject>UV–VIS spectroscopy</subject>
<subject>Electrical properties</subject>
<subject>pulverizare cu magnetron RF</subject>
<subject>piroliză prin pulverizare</subject>
<subject>spectroscopie UV–VIS</subject>
<subject>proprietăți electrice</subject>
<subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>535.33:543.4</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2021-07-06</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'><p>In this paper, a p&ndash;n thin film NiO/ZnO heterojunction for a rectifier diode and a UV photodetector is prepared and characterized. Nickel oxide (NiO) and gallium-doped zinc oxide (ZnO:Ga) thin films are grown by RF magnetron sputtering and spray pyrolysis techniques, respectively. The crystal structure of the thin films is studied by the X-ray diffraction (XRD) method. The transmittance and reflectance are studied by UV&ndash;VIS spectroscopy. The p&ndash;n electrical parameters are estimated from current&ndash;voltage characteristics. The effects of duration of thermal annealing at 450oC on the characteristics of the NiO/ZnO:Ga device are evaluated. The non-annealed diode shows the best rectification coefficient of 105 at &plusmn;1 V. The p&ndash;n photodetection capability is studied under UV illumination. At a reverse bias of &ndash;3 V under 365-nm UV illumination, the device shows a current intensity of ~6.2 &times; 10<sup>-12</sup> A. The observed increase in the reverse current intensity by about two orders of magnitude under a UV lamp with a spectral irradiance of 10 W m<sup>-2</sup> <strong> &mu;</strong> m<sup>-1</sup> indicates a promising application in UV light detection.</p></description>
<description xml:lang='ro' descriptionType='Abstract'><p>&Icirc;n această lucrare, a fost descrisă fabricarea și caracterizarea diodei redresoare și senzorului UV pe baza heterojoncțiunii cu straturi subțiri p-NiO/n-ZnO. Straturile subțiri de oxid de nichel (NiO) și oxid de zinc (ZnO:Ga) au fost obținute prin metoda pulverizării &icirc;n regim de radiofrecvenţă (RF) și, respectiv, metoda pulverizării pirolitice. Structura cristalină a straturilor subțiri a fost investigată prin metoda difracției cu raze X (XRD). Transmitanța și reflectanța au fost studiate prin spectroscopie UV-VIS. Parametrii electrici ai heterojoncțiunii p-n au fost estimați din caracteristicile curent-tensiune. Au fost evaluate efectele duratei tratării termice la 450oC asupra caracteristicilor structurii NiO/ZnO:Ga. Dioda redresoare netratată a arătat cel mai bun coeficient de redresare de 105 la aplicarea tensiunii &plusmn;1 V. Capacitatea de detecție a senzorului pe baza heterojoncțiunii p-n a fost studiată la iluminarea UV. Curentul de &icirc;ntuneric al joncțiunii la polarizare inversă de -3V este ~ 6,2 &times; 10-12 A. O creștere a curentului invers cu aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2 </sup> <strong> &mu;</strong> m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.</p></description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>

Dublin Core

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'>
<dc:creator>Ghimpu, L.Z.</dc:creator>
<dc:creator>Suman, V.</dc:creator>
<dc:creator>Rusnac, D.</dc:creator>
<dc:creator>Potlog, T.P.</dc:creator>
<dc:date>2021-07-06</dc:date>
<dc:description xml:lang='en'><p>In this paper, a p&ndash;n thin film NiO/ZnO heterojunction for a rectifier diode and a UV photodetector is prepared and characterized. Nickel oxide (NiO) and gallium-doped zinc oxide (ZnO:Ga) thin films are grown by RF magnetron sputtering and spray pyrolysis techniques, respectively. The crystal structure of the thin films is studied by the X-ray diffraction (XRD) method. The transmittance and reflectance are studied by UV&ndash;VIS spectroscopy. The p&ndash;n electrical parameters are estimated from current&ndash;voltage characteristics. The effects of duration of thermal annealing at 450oC on the characteristics of the NiO/ZnO:Ga device are evaluated. The non-annealed diode shows the best rectification coefficient of 105 at &plusmn;1 V. The p&ndash;n photodetection capability is studied under UV illumination. At a reverse bias of &ndash;3 V under 365-nm UV illumination, the device shows a current intensity of ~6.2 &times; 10<sup>-12</sup> A. The observed increase in the reverse current intensity by about two orders of magnitude under a UV lamp with a spectral irradiance of 10 W m<sup>-2</sup> <strong> &mu;</strong> m<sup>-1</sup> indicates a promising application in UV light detection.</p></dc:description>
<dc:description xml:lang='ro'><p>&Icirc;n această lucrare, a fost descrisă fabricarea și caracterizarea diodei redresoare și senzorului UV pe baza heterojoncțiunii cu straturi subțiri p-NiO/n-ZnO. Straturile subțiri de oxid de nichel (NiO) și oxid de zinc (ZnO:Ga) au fost obținute prin metoda pulverizării &icirc;n regim de radiofrecvenţă (RF) și, respectiv, metoda pulverizării pirolitice. Structura cristalină a straturilor subțiri a fost investigată prin metoda difracției cu raze X (XRD). Transmitanța și reflectanța au fost studiate prin spectroscopie UV-VIS. Parametrii electrici ai heterojoncțiunii p-n au fost estimați din caracteristicile curent-tensiune. Au fost evaluate efectele duratei tratării termice la 450oC asupra caracteristicilor structurii NiO/ZnO:Ga. Dioda redresoare netratată a arătat cel mai bun coeficient de redresare de 105 la aplicarea tensiunii &plusmn;1 V. Capacitatea de detecție a senzorului pe baza heterojoncțiunii p-n a fost studiată la iluminarea UV. Curentul de &icirc;ntuneric al joncțiunii la polarizare inversă de -3V este ~ 6,2 &times; 10-12 A. O creștere a curentului invers cu aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2</sup>aproximativ două ordine de mărime la iluminare cu lampa UV cu iradiere spectrală 10 Wm<sup>-2 </sup> <strong> &mu;</strong> m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.m-1 prezintă o aplicație promițătoare &icirc;n detectarea luminii UV.</p></dc:description>
<dc:identifier>10.53081/mjps.2021.20-1.05</dc:identifier>
<dc:source>Moldavian Journal of the Physical Sciences 20 (1) 66-72</dc:source>
<dc:subject>RF magnetron sputtering</dc:subject>
<dc:subject>spray pyrolysis</dc:subject>
<dc:subject>UV–VIS spectroscopy</dc:subject>
<dc:subject>Electrical properties</dc:subject>
<dc:subject>pulverizare cu magnetron RF</dc:subject>
<dc:subject>piroliză prin pulverizare</dc:subject>
<dc:subject>spectroscopie UV–VIS</dc:subject>
<dc:subject>proprietăți electrice</dc:subject>
<dc:title><p>Fabrication Of <em>p-</em>NiO/<em>n-</em>ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis</p></dc:title>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
</oai_dc:dc>

“ ... ”

SM ISO690:2012

GHIMPU, Lidia; SUMAN, Victor; RUSNAC, Dumitru; POTLOG, Tamara. Fabrication Of p-NiO/n-ZnO:Ga heterostructures for a rectifier diode and a UV photodetector via RF magnetron sputtering and spray pyrolysis synthesis. In: Moldavian Journal of the Physical Sciences. 2021, nr. 1(20), pp. 66-72. ISSN 1810-648X.